起源
誓師
今天的中國,正處于在戰(zhàn)略轉型的關鍵期和決戰(zhàn)期,電動汽車、新能源、軌道交通、智能電網、海洋工程、前沿物理研究等一大批決定中國未來的關鍵技術、戰(zhàn)略新興產業(yè)的突破和發(fā)展,都離不開IGBT - 這項關鍵功率半導體器件的支撐和助力。然而至今,中國自主IGBT技術仍然遠落后于國外,亟待取得突破,為國家的發(fā)展保駕護航。
時勢造英雄,當仁不讓。
今天的賽晶,已經成為了功率半導體及其配套器件國產化自主研發(fā)的先鋒。國內首臺自主技術陽極飽和電抗器、大功率電力電子電容器,國際領先的數字式IGBT驅動、層疊母排、固態(tài)交直流斷路器、脈沖電源、阻抗測量等一大批高新技術產品,是賽晶堅持“研發(fā)驅動發(fā)展”戰(zhàn)略而收獲的豐碩成果。
今天的賽晶,已擁有國際一流的技術研發(fā)實力。賽晶已經建立了國內三大研發(fā)中心、海外三大研發(fā)團隊的研發(fā)體系。其中,海外IGBT研發(fā)團隊的成員,均來自歐洲一流企業(yè),不僅掌握國際最先進的技術理念,也擁有國內稀缺的大規(guī)模制造工藝和經驗??梢哉f,IGBT研發(fā),賽晶是“站在巨人的肩膀上”起步。
不忘初心,方得始終。
今天,終于到了項頡和賽晶去實現夢想的時刻。我們有信心、有決心研發(fā)出屬于中國自己的高端IGBT技術和產品,讓那一顆夢想的種子,開出最燦爛的花朵,結出最豐碩的果實。
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