8月28日舉行的PCIM Asia 2024展上，賽晶科技所屬子公司SwissSEM正式發(fā)布1200V/13mΩ SiC MOSFET芯片，并由芯片專(zhuān)家做現(xiàn)場(chǎng)報(bào)告《高溫導(dǎo)通電阻行業(yè)領(lǐng)先的1.2kV SiC MOSFET，適用于電動(dòng)汽車(chē)緊湊型逆變器》。

賽晶科技SiC MOSFET芯片

碳化硅（SiC）具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特點(diǎn)，是良好的半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏逆變、電力儲(chǔ)能、服務(wù)器電源、工業(yè)電源變頻、智能電網(wǎng)、軌道交通等各個(gè)領(lǐng)域。尤其在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件有助于實(shí)現(xiàn)新能源車(chē)電力電子驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)輕量化、高效化，在新能源車(chē)的主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵電控部件中將發(fā)揮更重要的作用。隨著全球?qū)τ陔妱?dòng)汽車(chē)接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來(lái)十年將會(huì)迎來(lái)全新的增長(zhǎng)契機(jī)。

本次發(fā)布的賽晶科技SiC MOSFET芯片，采用多項(xiàng)行業(yè)領(lǐng)先的特色設(shè)計(jì)和工藝，包括：

-- 芯片邊沿至金屬層僅為約100微米；      -- 元胞間距降低至最小5.0微米；

-- 獲得最佳性能的短溝道設(shè)計(jì)；               -- 元胞間的電流擴(kuò)散注入；

-- 柵極金屬布局連續(xù)環(huán)繞在芯片周?chē)?nbsp;    -- 有源區(qū)內(nèi)多晶硅柵極澆道；

-- 連續(xù)的鋁銅源極焊盤(pán)。

源于出色的設(shè)計(jì)和工藝，我們的SiC MOSFET芯片在高溫工作條件下，展現(xiàn)出了極佳的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并且達(dá)到了行業(yè)一流水平的1200V/13mΩ。

此外，采用此SiC MOSFET芯片，賽晶科技還推出了多個(gè)型號(hào)的車(chē)規(guī)級(jí)、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊。HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊采用行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和封裝工藝，具有非常出色的散熱性能，以及極佳的可靠性、魯棒性，并可以覆蓋100KW至300KW 主流電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用需求，特別是電動(dòng)汽車(chē)緊湊型逆變器。

同期展出的賽晶i20 IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、BEVD封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊，以及HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊產(chǎn)品，受到了與會(huì)者的高度關(guān)注和熱烈反響，吸引眾多與會(huì)者、現(xiàn)場(chǎng)嘉賓的熱烈關(guān)注和深入交流。

澎湃“芯”動(dòng)力，賦能“芯”未來(lái)，在全球巨頭林立的PCIM Asia 2024，賽晶自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊等眾多產(chǎn)品，憑借國(guó)際一流的技術(shù)水平和卓越的性能表現(xiàn)，贏得國(guó)內(nèi)外業(yè)內(nèi)專(zhuān)家和客戶(hù)的一致認(rèn)可和高度贊譽(yù)。