11月9日，2024中國電力電子與能量轉換大會暨中國電源學會第二十七屆學術年會及展覽會（CPEEC & CPSSC 2024）在西安舉辦。中國電源學會學術年會暨展覽會是中國電源界規(guī)模最大、級別最高的學術、技術和產業(yè)盛會，已有超過40年歷史。會議旨在促進電力電子、能量轉換與電源技術相關領域海內外學者和相關人員的學術交流， 促進產、學、研的合作，促進相關產業(yè)及產業(yè)鏈的技術創(chuàng)新和進步。

作為新能源產業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術型企業(yè)，賽晶科技攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊，以及層疊母排、集成母排產品亮相并發(fā)表主題報告。

本次大會上，賽晶半導體技術支持兼市場總監(jiān)馬先奎就《高可靠性SiC芯片及其在車規(guī)級緊湊封裝功率模塊中的應用》為主題發(fā)表演講，與會者反響熱烈。

賽晶科技SiC MOSFET芯片

賽晶科技SiC MOSFET芯片，采用多項行業(yè)領先的特色設計和工藝，具有低導通電阻、高可靠性和良好的溫度特性。

不僅如此，源于出色的設計和工藝，賽晶SiC MOSFET芯片在高溫工作條件下，展現(xiàn)出了極佳的靜態(tài)和動態(tài)特性，并且達到了行業(yè)一流水平的1200V/13mΩ。

此外，采用此SiC MOSFET芯片，賽晶科技還推出了多規(guī)格、型號的車規(guī)級、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊。

HEEV封裝SiC模塊具有低雜感、體積小等特點，能夠將SiC芯片的性能得到更充分的發(fā)揮，助力客戶實現(xiàn)高達250kW最緊湊電驅的實現(xiàn)。

EVD封裝SiC模塊的產品可以讓客戶能夠最大可能的借鑒既有Si產品的系統(tǒng)設計，同時可以有靈活的商務供應。

同期展會上，賽晶展出的i20 IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、BEVD封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊，以及層疊母排、集成母排產品。受到了與會技術專家和客戶的高度關注，吸引眾多與會者、現(xiàn)場嘉賓的熱烈關注和深入交流。體現(xiàn)了賽晶在電源技術領域的強大技術實力，憑借國際一流的技術水平和卓越的性能表現(xiàn)，贏得國內外業(yè)內專家和客戶的一致認可和高度贊譽。