i23系列芯片組采用微溝槽柵IGBT技術(shù)，具有更低的飽和壓降（Vce(sat)）和更高的電流密度，同時(shí)可以降低開(kāi)關(guān)損耗，符合業(yè)界最高的可靠性標(biāo)準(zhǔn)和要求。d23系列芯片具有更低的正向?qū)▔航岛头聪蚧謴?fù)損耗。i23芯片和d23芯片的配合使用，能夠有效使得模塊的性能提升，并保證模塊的可靠性。

i23芯片特點(diǎn)

• 采用微溝槽IGBT技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超低開(kāi)關(guān)損耗（Eon + Eoff）

• 額定電流高達(dá)300A，適用于1200V/1700V電壓等級(jí)

• 具備寬Rg范圍內(nèi)的軟關(guān)斷可控性，適用于廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景

• 高短路承受能力（ISC）

• 正溫度系數(shù)

• 良好的電流均衡特性，易于多器件并聯(lián)使用

d23芯片特點(diǎn)

• 1200V：先進(jìn)發(fā)射極效率設(shè)計(jì)

• 1700V：準(zhǔn)局部壽命控制（QLC）設(shè)計(jì)

• 超低正向壓降（Vf）與低反向恢復(fù)損耗（Erec），同時(shí)保持軟恢復(fù)特性

• 正溫度系數(shù)

• i23 IGBT 和d23二極管芯片組優(yōu)化匹配

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

• 具有深厚研發(fā)經(jīng)驗(yàn)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的國(guó)產(chǎn)IGBT和二極管芯片組

• i23和d23芯片組的開(kāi)發(fā)，使得兩者性能匹配更佳，并保證配合應(yīng)用模塊的可靠性

應(yīng)用領(lǐng)域

• 1500V集中式光伏逆變器

• 集中式儲(chǔ)能變流器

• 商用車(chē)電驅(qū)

• 變頻器

• 逆變焊機(jī)

• 牽引輔助電源

• 大功率電源，如UPS等

• 變頻電源

i23系列微溝槽柵IGBT芯片，電壓為1200V和1700V產(chǎn)品，現(xiàn)已量產(chǎn)。

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